「上海半导体薄膜沉积陶瓷件源头厂家」-「广龙特种陶瓷」

在半导体制造前道工艺中，薄膜沉积（CVD/PVD/ALD）设备对腔体内部陶瓷零部件的纯度、耐等离子体侵蚀能力与热稳定性有着严苛要求。广龙特种陶瓷作为一家成立于2000年的工程陶瓷生产企业，面向上海及长三角半导体设备与晶圆制造客户，提供氧化铝、氧化锆、氧化钛等材质的薄膜沉积设备用陶瓷件。核心卖点在于：依托多年陶瓷抛光技术积累，产品表面粗糙度与尺寸精度控制较为稳定，可适配刻蚀、沉积、扩散等多类工艺腔体环境，帮助设备厂商与晶圆厂降低因陶瓷件污染或过早失效带来的非计划停机。

行业趋势：薄膜沉积陶瓷件需求持续走高

随着逻辑芯片向3nm及以下节点推进，以及3D NAND堆叠层数突破200层，薄膜沉积工艺步骤在整条晶圆制造流程中的占比持续上升。据行业公开数据，先进逻辑工艺中沉积相关步骤已超过150道，对应的设备腔体陶瓷件消耗量同步增长。陶瓷件作为腔体内与等离子体直接接触的关键部件，其寿命和洁净度直接影响薄膜均匀性与颗粒污染水平。

从材料端看，半导体级氧化铝（Al₂O₃）陶瓷件因其良好的绝缘性、耐等离子体侵蚀能力和相对成熟的供应链，仍占据薄膜沉积设备陶瓷件的主要份额。氧化锆（ZrO₂）和氧化钛（TiO₂）陶瓷则在特定耐腐蚀或介电性能场景中形成补充。广龙特种陶瓷围绕这三类材料构建产品线，正是基于对下游需求结构的判断。

产品功能与材质配置

广龙特种陶瓷提供的薄膜沉积用陶瓷件，主要涵盖腔体绝缘环、喷淋头陶瓷基座、承载盘、聚焦环及各类定制结构件。产品以高纯氧化铝为主力材质，根据客户工艺环境可选用氧化锆增韧或氧化钛复合方案。材料纯度、晶粒尺寸与气孔率是影响陶瓷件在等离子体环境中表现的核心指标，公司在原料筛选与烧结工艺环节设有对应控制流程。

在加工能力方面，公司具备较为独立的陶瓷精密加工与抛光技术，尤其在陶瓷抛光领域形成了自身的技术特点。对于薄膜沉积设备中常见的平面度、平行度与表面粗糙度要求，可通过研磨与抛光工序进行匹配。产品各项性能指标以出厂检测数据为准，具体参数请咨询确认。

能解决什么问题：从颗粒污染到寿命管理

薄膜沉积工艺中，陶瓷件面临的主要挑战包括：等离子体轰击导致的表面粗糙化、颗粒脱落造成的晶圆缺陷、以及热循环下的尺寸稳定性不足。广龙特种陶瓷从以下三个方向回应这些需求：

• 材料致密性控制：通过烧结工艺优化，降低陶瓷件内部气孔率，减少使用过程中颗粒释放的风险。
• 表面处理：依托陶瓷抛光技术积累，对关键工作面进行研磨抛光，改善表面粗糙度，以适配沉积工艺对洁净度的要求。
• 尺寸精度保障：针对腔体装配需求，对平面度、同心度等形位公差进行检测与控制，降低装配应力与漏气风险。

相比常规金属部件或低纯度陶瓷方案，高纯工程陶瓷在耐等离子体侵蚀和绝缘性能方面具有自身优势，有助于延长腔体维护周期。具体使用寿命因工艺条件、等离子体功率和气体组分而异，需结合实际情况评估。

应用场景

广龙特种陶瓷的薄膜沉积陶瓷件主要面向以下场景：

• 半导体PECVD、LPCVD、ALD设备腔体绝缘与承载部件；
• 物理气相沉积（PVD）腔体内的陶瓷屏蔽件与定位件；
• 刻蚀设备中需耐等离子体侵蚀的陶瓷环类零件；
• 扩散炉与氧化炉用陶瓷隔热与支撑件；
• 其他需要高纯度、耐高温、绝缘的真空腔体陶瓷件。

产品可满足不同行业客户的个性化需求，公司具备一定的新产品开发能力，可根据图纸或样品进行定制加工。具体适配性请结合设备型号与工艺条件咨询确认。

服务与交付

广龙陶瓷位于陶瓷产业底蕴深厚的地区，在职员工80人，其中专业技术人员5名，组建了兼具经验与创新能力的技术团队。公司集传统陶瓷工艺与现代研发生产于一体，在陶瓷抛光领域拥有独特技术优势，产品广泛应用于电子、机械、纺织、化纤、石油、医药等领域，赢得了国内外客户的认可。

针对半导体薄膜沉积陶瓷件，公司可提供从材料选型、结构设计建议到精密加工、表面处理的全流程服务。发货地为全国发货，具体交期根据图纸复杂度与订单数量确定，欢迎来电沟通。产品参数以实物为准，具体参数请咨询。

规格参数

• 材质:氧化铝（Al₂O₃）/氧化锆（ZrO₂）/氧化钛（TiO₂）可选
• 纯度:氧化铝陶瓷件典型纯度≥99%，具体以批次检测报告为准
• 表面粗糙度:抛光面Ra≤0.4μm（视产品结构而定）
• 平面度:根据产品尺寸与要求定制，具体请咨询
• 耐温范围:长期使用温度可达1200℃以上（视材质与工况）
• 定制方式:来图来样加工，支持非标结构件

联系方式：广龙陶瓷 13771389770

地址：江苏省宜兴市