「深圳RST60P45AK厂家」-「瑞斯特半导体RSTTEK」

RST60P45AK 是瑞斯特半导体RSTTEK推出的一款 60V 沟槽 MOSFET，采用 TO-252（DPAK）封装，典型导通电阻约 45mΩ，额定电流 30A，适合中低压开关与电源管理场景。产品面向 BMS 电池、电动工具、无人机、智能电源及工业控制等对成本与可靠性均有要求的应用，核心卖点在于耐压余量适中、导通损耗可控、封装便于贴装，配合面议价格与稳定供货，在批量项目中具有较好的性价比与长期使用价值。

产品定位与核心特点

RST60P45AK 属于 N 沟道增强型 MOSFET，命名中「60」对应 60V 漏源电压，「P」表示沟道类型相关代号，「45」对应导通电阻档位，「AK」为封装与版本标识。器件采用沟槽栅工艺，在保证开关速度的同时兼顾导通损耗，适合开关频率中等、以效率与成本平衡为目标的电路设计。

相比常规平面工艺 MOSFET 方案，沟槽结构在同等芯片面积下通常具有更低的导通电阻，有助于减少导通发热、缓解散热设计压力；同时 TO-252 封装体积紧凑、贴装工艺成熟，可降低整机 PCB 占用与生产装配成本。对于以量取胜的消费类与工业类项目，这类器件在采购成本、供货连续性与替换便利性之间取得了较为务实的平衡。

能解决什么问题

在中低压开关电源、电池保护与电机驱动等场景中，设计者常面临几类实际问题：一是导通损耗偏高导致温升明显，需要额外散热空间；二是器件耐压与电流余量不足，面对负载波动时可靠性下降；三是封装形式与产线贴装能力不匹配，影响批量交付节奏。RST60P45AK 的 60V 耐压与 30A 电流能力为常见 12V～48V 系统留出合理余量，45mΩ 量级的导通电阻可控制通态损耗，TO-252 封装兼容主流 SMT 产线，便于快速导入与量产。

规格与卖点一览

• N 沟道增强型 MOSFET，漏源电压 60V，适合中低压开关电路
• 连续漏极电流 30A（Tc=25℃ 条件下），脉冲电流承受能力较好
• 导通电阻典型值约 45mΩ（VGS=10V），有助于降低通态损耗
• TO-252（DPAK）贴片封装，占用面积小，便于自动化贴装
• 栅极电荷较低，开关损耗可控，适配中频开关应用
• 工作结温范围 -55℃～+150℃，满足一般工业与消费类环境要求

以上参数为典型参考值，实际性能以实物为准，具体参数请咨询。

应用场景

RST60P45AK 适用于 BMS 电池保护与均衡电路、电动工具与无刷电机驱动、无人机电调、DC-DC 转换器与智能电源模块、工业控制板卡中的负载开关等。在光伏储能与逆变器的辅助电源部分，也可作为中低压开关器件使用。对于充电桩内部的控制与保护电路，该器件可作为次级电源管理中的开关元件。选型时应结合实际工作电压、电流波形与散热条件评估余量。

服务与交付

RSTTEK瑞斯特半导体专注于功率半导体器件的研发、设计与销售，产品覆盖 MOSFET、IGBT、可控硅、防护器件、逻辑 IC、超级电容等系列，广泛应用于消费电子、BMS 电池、工业控制、无人机、充电桩、智能电源、AI 服务器、智能机器人、光伏储能、逆变器与汽车电子等领域。公司拥有四大生产基地，总建筑面积约 20 万平方米，其中封装测试车间约 4 万平方米，主要提供 SOT、TO 系列及 PDFN 等封装形式，具备较为完善的封装测试能力。

针对 RST60P45AK，公司可提供样品测试、规格书咨询与批量供货支持，并根据项目需求配合选型建议。长期合作客户可获得稳定的交期安排与技术支持，便于将器件纳入长期 BOM 管理，降低替换与**成本。

规格参数

• 漏源电压 VDS：60V
• 连续漏极电流 ID：30A（Tc=25℃）
• 导通电阻 RDS(on)：约 45mΩ（VGS=10V，典型值）
• 封装形式：TO-252（DPAK）
• 工作结温范围：-55℃～+150℃
• 沟道类型：N 沟道增强型

具体参数以规格书及实物为准，选型请咨询确认。

联系方式：瑞斯特半导体RSTTEK 18948999728；地址：深圳市龙华区民治街道民塘路鸿荣源北站商业中心B栋19层。