广东RST60P04R制造企业 -【瑞斯特半导体RSTTEK】
规格参数
| 型号 | RST60P04R |
|---|---|
| 器件类型 | P沟道增强型功率MOSFET |
| 漏源电压(VDS) | -40V |
| 连续漏极电流(ID) | -60A(Tc=25℃,以实物为准) |
| 导通电阻(RDS(on)) | 典型值约8mΩ(VGS=-10V,具体参数请咨询) |
| 封装形式 | PDFN5×6 |
产品详情
广东RST60P04R是一款由瑞斯特半导体RSTTEK研发制造的P沟道功率MOSFET,采用先进的沟槽工艺,具备低导通电阻与快速开关特性。该器件主要面向电池保护、电源切换、负载开关等场景,适合对空间和效率有要求的消费电子、BMS电池及工业控制类客户。作为国内功率半导体器件领域具备完整封装测试能力的制造企业,RSTTEK瑞斯特半导体从晶圆选型到成品测试实行全流程管控,致力于为全球客户提供稳定可靠的功率器件解决方案。
RST60P04R是什么类型的器件?主要用在哪些地方?
RST60P04R属于P沟道增强型功率MOSFET,耐压值为-40V,连续漏极电流在Tc=25℃条件下可达-60A(具体以实物为准)。P沟道MOSFET的典型优势在于高侧开关应用中无需额外的电荷泵电路,可简化驱动设计、降低系统成本,因此常被用于以下场景:
- 锂电池保护板中的充放电控制开关
- 直流电源输入端的防反接与负载切换
- 消费电子产品的电源通断管理
- 工业控制板卡中的继电器替代方案
- 智能电源与适配器输出侧的同步整流辅助
如果您不确定该型号是否匹配您的电路设计,可联系RSTTEK瑞斯特半导体技术团队协助选型。
RST60P04R的核心参数怎么看?选型时要注意什么?
选型P沟道MOSFET时,工程师通常关注以下几个关键参数:漏源击穿电压(VDS)、导通电阻(RDS(on))、栅极阈值电压(VGS(th))、**漏极电流(ID)以及封装热阻。RST60P04R的-40V耐压适用于12V至24V母线电压系统,并留有一定安全裕量。其导通电阻在VGS=-10V条件下典型值较低,有助于减少导通损耗、控制温升。
选型时建议重点确认三点:一是电路中的最高母线电压是否在耐压范围内;二是驱动电压是否能让器件充分导通(建议VGS不低于-4.5V,具体参考规格书);三是封装散热能力是否满足实际工作电流。RSTTEK瑞斯特半导体可提供规格书与热设计建议,帮助客户缩短选型周期。
RST60P04R采用什么封装?焊接和使用有什么注意事项?
RST60P04R采用PDFN5×6封装形式,属于表面贴装类型,适合自动化贴片生产。该封装底部带有散热焊盘,焊接时需确保焊盘与PCB散热铜箔充分连接,以发挥**散热效果。使用过程中需注意:
- 焊接温度曲线建议遵循无铅回流焊标准,峰值温度不超过260℃
- 栅极驱动电阻需根据开关频率合理选取,避免振荡
- 在高频开关场景下注意PCB布局,减小源极寄生电感
- 存储环境应保持干燥,避免引脚氧化影响焊接可靠性
RSTTEK瑞斯特半导体具备完善的封装测试能力,封装测试车间面积约4万平方米,产品出厂前经过多道电性测试与外观检验,以降低客户端不良率。
RST60P04R的供货与交付周期如何?
RSTTEK瑞斯特半导体拥有四大生产基地,总建筑面积达20万平方米,具备稳定的产能储备。RST60P04R常备现货,具体库存数量请咨询销售确认。对于批量采购客户,可根据需求安排分批发货或长期备货协议。发货地为深圳市龙华区,支持全国发货。样品申请与小批量试产订单均可受理,具体交期以合同约定为准。
RSTTEK瑞斯特半导体提供哪些服务保障?
RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件的研发、设计与销售的科技企业,产品线涵盖MOSFET、IGBT、可控硅、防护器件、逻辑IC、超级电容等,广泛应用于消费电子、BMS电池、工业控制、无人机、充电桩、智能电源、AI服务器、智能机器人、光伏储能、逆变器、汽车电子等领域。针对RST60P04R及同类产品,公司提供以下服务支持:
- 免费提供规格书、应用笔记与参考设计资料
- 技术团队协助选型与电路调试
- 样品支持与小批量试产服务
- 批量订单可签署质量保证协议
- 产品质保期以合同约定为准,非人为损坏可申请售后处理
公司已与多家行业知名企业建立长期战略合作关系,产品品质与交付能力经过市场验证。如您有特殊参数需求,也可咨询定制化封装与测试方案。
RST60P04R的价格是多少?怎么获取报价?
RST60P04R的价格受采购数量、封装形式、测试要求及市场行情影响,暂不设统一标价,参考价为面议。建议您联系RSTTEK瑞斯特半导体销售团队,提供预计用量、交期要求及目标应用场景,以便获取针对性报价。批量采购通常享有更优价格,长期合作客户可协商年度框架协议。
规格参数
- 型号: RST60P04R
- 器件类型: P沟道增强型功率MOSFET
- 漏源电压(VDS): -40V
- 连续漏极电流(ID): -60A(Tc=25℃,以实物为准)
- 导通电阻(RDS(on)): 典型值约8mΩ(VGS=-10V,具体参数请咨询)
- 封装形式: PDFN5×6
如需了解更多产品信息或获取样品,请联系瑞斯特半导体RSTTEK:18948999728,地址:深圳市龙华区民治街道民塘路鸿荣源北站商业中心B栋19层。